Регистрация | Забыли свой пароль?

Поиск


 



Получение наногетероэпитаксильных структур с квантовыми точками

Лунин Л.С. 1 , Марончук И.Е. 2 , Сысоев И.А. 3 1 Южно-Российский государственный технический университет, Россия. 2 Севастопольский национальный университет ядерной энергии и промышленности, Украина. 3 Северо-Кавказский государственный технический университете, Россия. В настоящее время проводятся исследования параметров наногетероструктур на основе GaP и GaAs с островками и квантовых точек (КТ) Ge х Si 1-x различного состава. Разработанный процесс жидкофазной эпитаксии при импульсном охлажд

Изменен: 11.01.2011
квантовые точки , наногетероструктуры , подложка , технологические режимы , исследования , эпитаксия
Путь: Главная – Нанотехнологическое общество России / Наука / Библиотека

Сортировать по релевантности | Отсортировано по дате