Послойный анализ углеводородных покрытий на основе спектроскопии отраженных электронов

26.10.2010

Послойный анализ углеводородных покрытий на основе спектроскопии отраженных электронов

В. П. Афанасьев, А. А. Батраков, А. В. Лубенченко

В данной работе возможности метода анализа углеводородных покрытий на основе спектроскопии отраженных электронов иллюстрируются на примере анализа слоев аморфного гидрогенизированного углерода, нанесенных на поверхность монокристаллического кремния. Эксперименты по осаждению проводились в генераторе плазмы с продольным магнитным полем PSI-2 (Max-Plank Institute of Plasma Physics, Germany). Кремниевые подложки закреплялись на охлаждаемом держателе, который устанавливался в центральной части камеры дрейфа длиной 1 м и диаметром 0.4 м. Во время разряда в аргоне на оси камеры формировался плазменный столб диаметром 6 – 8 см. Держатель располагался в 5 см от края плазменного столба. С противоположной стороны плазменного столба располагалась трубочка, через которую вводился этилен и водород. В данных условиях рост пленок на подложках в основном обеспечивался поступлением на ее поверхность нейтральных радикалов, продуктов разложения этилена. Конечная структура пленок определялась соотношением потоков углерода и атомарного водорода.